Udskæring, rensning, klargøring af ruskind, perifer ætsning, fjernelse af PN plus junction på bagsiden, produktion af øvre og nedre elektroder, fremstilling af antirefleksfilm, sintring, test og sortering osv. 10 trin.
Specifik fremstillingsteknologi af solceller
(1) Skive: Siliciumstangen skæres i firkantede siliciumwafers ved multitrådsskæring.
(2) Rengøring: Rengør siliciumwaferen ved konventionel rengøringsmetode, og fjern derefter 30-50um af skæreskadelaget på overfladen af siliciumwaferen med syre (eller alkali) opløsning.
(3) Fremstilling af ruskind: Anisotropisk ætsning af siliciumwafer i alkaliopløsning bruges til at fremstille ruskind på overfladen af siliciumwafer.
(4) Fosfordiffusion: PN plus junctions dannes ved diffusion fra belægningskilde (flydende kilde eller fast phosphornitrid flagekilde), og junction dybden er generelt 0.3-0.5um.
(5) Perifer ætsning: Diffusionslaget dannet på overfladen af siliciumwaferen under diffusion vil forkorte batteriets øvre og nedre elektroder og fjerne diffusionslaget ved at afskærme vådætsning eller plasmatørætsning.
(6) Fjern den bagerste PN plus-forbindelse. Den bagerste PN plus-forbindelse fjernes normalt ved vådætsning eller slibning.
(7) Fremstilling af øvre og nedre elektroder: ved hjælp af vakuumfordampning, strømløs nikkelbelægning eller aluminiumsslamtrykning og sintringsproces. Først laves den nederste elektrode, og derefter laves den øverste elektrode. Udskrivning af aluminiumslam er en meget brugt proces.
(8) Fremstilling af antirefleksfilm: For at reducere inputrefleksionstabet bør et lag antirefleksfilm belægges på overfladen af siliciumwafer. De materialer, der bruges til at fremstille antireflekterende belægninger, er MgF2, SiO 2, Al2O3, SiO, Si3N4, TiO2, Ta2O5 og så videre. Procesmetoderne kan være vakuumcoating, ioncoating, sputtering, print, PECVD eller sprøjtning.
(9) Sintring: Sintring af batterichips på nikkel- eller kobbersubstrater.
(10) Test klassificering: i henhold til de specificerede parametre og specifikationer, test klassificering.
